أعلنت شركة سامسونج اليوم عن أول ذاكرة eUFS 2.1 بسعة 1 تيرابايت في العالم. وقد دخلت هذه الرقاقة بالفعل مرحلة الإنتاج الضخم، لذا يمكننا أن نتوقع إستخدام رقاقة الذاكرة هذه في الجيل المقبل من الهواتف الذكية الرائدة التابعة لشركة سامسونج، ومن المرجح أن يكون +Galaxy S10 هو الهاتف الأول الذي يستخدم رقاقة الذاكرة هذه.
رقاقة الذاكرة الجديدة من شركة سامسونج تمتاز بسعة 1 تيرابايت على الرغم من حقيقة أنها تمتاز بنفس أبعاد رقاقة الذاكرة الحالية التي تبلغ سعتها 512GB. وقد تمكنت شركة سامسونج من القيام بذلك بفضل قدرتها على دمج 16 طبقة من ذاكرة V-NAND فوق بعضها البعض. وجدير بالذكر أن شركة سامسونج إستطاعت تحسين الجانب المتعلق بالسرعة أيضًا.
تتميز رقاقة الذاكرة الجديدة بسرعة قراءة متتابعة تصل إلى 1000 ميغابايت في الثانية، وسرعة كتابة متتابعة تبلغ 260 ميغابايت في الثانية. وعلى سبيل المقارنة، فإن ذواكر SSD SATA الأساسية تمتاز بسرعة قراءة تصل إلى 540 ميغابايت في الثانية فقط، وهذا أمر مثير للإعجاب. وبالمقارنة مع رقاقة الذاكرة الحالية والتي تمتاز بسعة 512GB، فقد زادت سرعة القراءة العشوائية لرقاقة الذاكرة الجديدة التي تمتاز بسعة 1 تيرابايت بنسبة 38 في المئة. عموما، إليكم أدناه جدول بسيط يقارن رقاقات الذاكرة الداخلية المختلفة وأدائها :
| الذاكرة | القراءة المتتابعة | الكتابة المتتابعة | القراءة العشوائية | الكتابة العشوائية |
| 1TB eUFS 2.1 | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58000 IOPS | 50000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 | 860 MB/s | 255 MB/s | 42000 IOPS | 40000 IOPS |
| 256GB UFS Card | 530 MB/s | 170 MB/s | 400000 IOPS | 35000 IOPS |
| 256 eUFS 2.0 | 850 MB/s | 260 MB/s | 45000 IOPS | 40000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 | 300 MB/s | 150 MB/s | 19000 IOPS | 14000 IOPS |
from إلكتروني http://bit.ly/2MGtIbl
via IFTTT
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق