كان لشركة TSMC الريادة دائماً في تطوير عملية تصنيع الرقاقات بعملية تصنيع متقدمة، واليوم كشف تقرير جديد على خطط الشركة لبدء الإنتاج الضخم للرقاقات المميزة بدقة تصنيع 2 نانومتر في 2023.
تطور TSMC الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 2 نانومتر بعملية تصنيع ترتكز على معمارية GAA-FET، حيث من المتوقع أن تنتقل هذه الرقاقات لمرحلة الإنتاج الضخم في 2023، لتحقق TSMC من جديد الريادة في عملية تصنيع الرقاقات بعد أن قدمت الشركة عملية تصنيع بدقة 3 و5 نانومتر.
اعلان
أشار تقرير نشر في الصين إلى أن TSMC تتجه لتغيير معمارية Fin-FET القديمة في عملية التصنيع لإستخدام معمارية GAA-FET، حيث تواجه معمارية Fin-FET بالفعل بعض الصعوبات في عملية تصنيع الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر، ومن المتوقع أن تعلن TSMC رسمياً عن التغيير الجديد خلال حدث الشركة القادم.
وتتيح عملية التصنيع التي ترتكز على دقة 2 ناومتر ضم عدد أكبر من الترانزستور في الشريحة، مما يدعم الشريحة بتوفير آداء أقوى مع إستهلاك أقل للطاقة، كما تعبر 2 نانومتر عن المسافة الفاصلة بين الترانزستور في الشريحة.
يذكر أن TSMC قد رصدت مشكلة في تبديد الحرارة في Fin-FET بدقة تصنيع 3 نانومتر، حيث يؤدي خفض سماكة الشريحة إلى إنخفاض حركة الإلكترون وتسريب التيار، وهي مشكلة تم معالجتها في GAA-FET التي تتحكم في التيار الكهربائي لدعم خفض تسريب التيار.
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق